超高密度等离子体：高离子和高活性物质密度，在多种混合气源下在10cm下采用碰撞式同轴等离子体发生器，等离子体浓度大于1012cm-3。超快速稳定启辉：匹配等离子源不需要阻抗调谐器，使用自动调节装置,实现100毫秒内完成稳定启辉。超小体积等离子体发生器：采用KF40快速法兰连接，整体重量1kg；可方便快速加装在LabNano9000系列设备上。超灵活气体切换：等离子气体采用脉冲方式进入反应腔，可任意切换不同气源。原子层沉积技术（ALD）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的ALD生长过程是通过选择交替把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应而形成沉积薄膜。与传统的化学气相沉积技术CVD相比，ALD技术要求严格地执行交替脉冲前驱体，以避免气相反应的过程。一个完整的ALD生长循环可以分为四个步骤：1.脉冲第一种前驱体暴露于基片表面，同时在基片表面对第一种前驱体进行化学吸附。2.惰性载气吹走剩余的没有反应的前驱体。3.脉冲第二种前驱体在表面进行化学反应，得到需要的薄膜材料4.惰性载气吹走剩余的前驱体与反应副产物。相对于传统的沉积工艺，ALD技术具有以下明显的优势：•前驱体是饱和化学吸附，不需要控制反应物流量的均一性•沉积参数的高度可控，可实现生成大面积均匀性的薄膜•通过控制反应周期数可简单以原子层厚度精度控制薄膜沉积的厚度•可广泛适用于各种形状的基底•优异的台阶覆盖性，可生成三维保形性化学计量薄膜，•优异的均匀性和一致性，可生成致密的薄膜，•可沉积深宽比达2000:1的结构，对纳米孔材料进行沉积•可容易进行掺杂和界面修正，•可以沉积多组份纳米薄膜和混合氧化物•薄膜生长可在低温（室温到400℃）下进行•固有的沉积均匀性和小的源尺寸，易于缩放，可直接按比例放大•对环境要求包括灰尘不敏感•使用与维护成本低

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