微波等离子体具有其他等离子体难以比拟的优势和特点。并且，本设备设计的微波等离子体系统，引入自放电装置，起辉快，反应时间短，缩短了沉积周期，提高了生产效率!开发设计微波等离子体原子层沉积设备，微波等离子体原子层沉积设备主要由微波等离子体发生装置、真空反应腔室、真空系统、前驱体运输系统、控制系统等几部分组成。引入自放电装置，从而保证微波发生器在1-3s内快速响应，微波等离子体发生器起辉稳定!微波等离子体产生后通过一个喇叭形状的铝制扩散腔，扩散后会更加均匀的分布在腔体内!

　　脉冲第二种前驱体在表面进行化学反应，得到需要的薄膜材料惰性载气吹走剩余的前驱体与反应副产物！相对于传统的沉积工艺，ALD技术具有以下明显的优势：•前驱体是饱和化学吸附，不需要控制反应物流量的均一性•沉积参数的高度可控，可实现生成大面积均匀性的薄膜•通过控制反应周期数可简单以原子层厚度精度控制薄膜沉积的厚度•可广泛适用于各种形状的基底•优异的台阶覆盖性，可生成三维保形性化学计量薄膜，•优异的均匀性和一致性，可生成致密的薄膜，•可沉积深宽比达2000:1的结构，对纳米孔材料进行沉积•可容易进行掺杂和界面修正，•可以沉积多组份纳米薄膜和混合氧化物•薄膜生长可在低温（室温到400℃）下进行•固有的沉积均匀性和小的源尺寸，易于缩放，可直接按比例放大•对环境要求包括灰尘不敏感•使用与维护成本低独立开发设计制造一款新型原子层沉积设备，该设备加入微波等离子体，是对原子层沉积技术的扩展！

高性能ALD质量好

　　通过微波等离子体的引入，产生大量的活性自由基，增强了前驱体物质的反应活性，从而拓展了原子层沉积技术对前驱体源的选择范围和应用要求，可以实现低温甚至常温沉积，特别适合于对温度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉积。另外，等离子体的引入可以进一步的去除薄膜中的杂质，可以获得更低的电阻率和更高的薄膜致密度等!此外，等离子体还可以对反应腔室进行清洗以及对基片进行表面活化处理等！微波等离子体无电极、运行气压宽、低能耗、高效率和低成本等优点，其等离子体发生室和处理室可分合，工艺灵活。

　　超高密度等离子体：高离子和高活性物质密度，在多种混合气源下在10cm下采用碰撞式同轴等离子体发生器，等离子体浓度大于1012cm-超快速稳定启辉：匹配等离子源不需要阻抗调谐器，使用自动调节装置,实现100毫秒内完成稳定启辉.超小体积等离子体发生器：采用KF40快速法兰连接，整体重量1kg；可方便快速加装在LabNano9000系列设备上！超灵活气体切换：等离子气体采用脉冲方式进入反应腔，可任意切换不同气源!

　　原子层沉积技术（ALD）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的ALD生长过程是通过选择交替把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应而形成沉积薄膜！与传统的化学气相沉积技术CVD相比，ALD技术要求严格地执行交替脉冲前驱体，以避免气相反应的过程!一个完整的ALD生长循环可以分为四个步骤：脉冲第一种前驱体暴露于基片表面，同时在基片表面对第一种前驱体进行化学吸附。惰性载气吹走剩余的没有反应的前驱体!

　　有机前驱体通过反应腔底部的开口横流模式进入真空腔室，避开了和等离子体混合，从而使气流在这个腔体内能够均匀的流动.软件具有ALD阀控制、泵系统控制、加热器温度控制，气流控制和沉积配方编辑及设备示意图等功能。用户界面包括四个界面：“沉积过程”、“温度控制”、“沉积配方”和“安全设置”基片尺寸：4-12英寸可选样品高度：6mm，可选配更高样品选件基片温度：RT-400℃，控制精度±1℃，可选配更高温度选件前驱体输运系统：标准2路前驱体管路，可以选配到6路载气系统：Ar沉积模式：连续模式TM（FlowTM）、停流模式TM（StopFlowTM）、等离子体增强模式TM工作气体：1路氩气配置质量流量计，其余3路任意可选输出功率：0~200W±3%反射功率：保护到100W（当反射功率达到100W时自动限制传送功率）频率：45GHz沉积均匀性：Al2O3均匀性±1%电源：50-60Hz220V/15A交流电源，标准金属机柜，易拆卸柜板，可调节支脚仪器尺寸：1100X600X1200mm反应腔：喷淋式等离子体和前驱体进气，铝制穹顶等离子体扩散腔沉积模式：热沉积模式、等离子增强模式、连续模式TM（FlowTM）、压力调谐模式TM（PreTuneTM）、单面沉积模式TM（SingleProTM）、离子束辅助沉积模式等离子体气源：标准3路，可以选配到6路等离子体源：ICPremoteplasma500W，更大功率可选基片输运系统：手动，手动/自动Loadlock可选可选件：手套箱，臭氧发生器，原位监测系统，尾气处理系统，单面沉积模式附件，离子束辅助沉积模式附件ALD技术常见的可沉积材料包括：氧化物Al2OTiOTa2ONb2OZrOHfOSnOZnO、La2OY2O3,CeOSc2OEr2OV2OSiOIn2O3氮化物:AlN,TaNx,NbN,TiN,MoN,ZrN,HfN,GaN氟化物:CaF2,SrF2,ZnF2金属:Pt,Ru,Ir,Pd,Cu,Fe,Co,Ni碳化物:TiC,NbC,TaC复合结构:AlTiNx,AlTiOx,AlHfOx,SiO2:Al,HfSiOx硫化物:ZnS,SrS,CaS,PbS纳米薄层:HfO2/Ta2O5,TiO2/Ta2O5,TiO2/Al2O3,ZnS/Al2O3,ATO(AlTiO)---。