型号包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及CABL-4200LB!其中CABL-9000C系列小线宽可达8nm，小束斑直径2nm，套刻精度20nm(mean2σ)，拼接精度20nm(mean2σ)！欣源科技SYNERCE代理日本CRESTEC公司的电子束光刻系统，又称作电子束曝光、电子束直写、EBL、E-BeamLithography等。

　　电子束光刻系统EBL(E-BeamLithography)电子束直写系统、电子束曝光系统CABL-9000Cseries30kV、50kV、90kV、110kV、130kV2inch、4inch、6inch、8inch、定制尺寸纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是好的方法之一.日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统！

我们推荐电子束直写

　　==================================超高分辨率电子束光刻EBLUltrahighResolutionEBLithography(CABL-UHseries)纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是好的方法之一.日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统！

正宗电子束直写

　　描电镜分辨率：小于2nm主要特点：1。采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪2.出色的电子束偏转控制技术3。采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（addresssize)可达0。0012nm4!采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0。01mrad5。应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix&Match），图形线宽和图形位移测量等!

　　包括30kV、50kV、90kV、110kV、130kV2inch、4inch、6inch、8inch、定制尺寸如有任何需求和相关问题，敬请电话或邮件垂询！技术参数：1!小线宽：小于10nm（可实现8nm)2。加速电压：5-50kV3。电子束直径：小于2nm4!套刻精度：20nm(mean2σ)5!拼接精度：20nm(mean2σ)6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option)7！　　参展范围包括原材料：活性稀释剂、低聚物、光引发剂、颜料、助剂，配方产品：UV涂料、UV油墨、UV粘合剂、印刷版材、光致抗蚀剂、印制电路用UV、油墨、干膜、光成像油墨、光铸、表面光接枝、其它，光源和设备：UV光源、电子束设备、光固化设备、涂装设备、材料性能测试仪器（涂料、油墨、粘合剂用）、UV剂量仪。展会期间展方将邀请国内外政府机构，资深专家学者出席论坛并作专题报告，展览会期间各企业也可申请举办高级研讨会暨新产品新技术发布会。上海中承展览服务有限公司方式——地址：上海市博山东路112弄海德大厦3号7楼B座，电话：021-38710298/38710297-8288，传真：021-51560415/38710298，网站：sghcl.zhongcheng.org，电子邮箱：webmaster@zhongchegng.org，联系人：钱江(13671570825)。