半导体材料
公司地址:山东省济南市高新区飞跃大道2016号创新工场F7-2-201-203
企业信息
注册资本:1000万以上
注册时间: 2020-01-01
5V♦测温范围:-55℃~125℃♦测温精度:♦-10℃~+85℃范围测温精度±0。5℃♦-55℃~125℃测温精度±2℃♦测温分辨率:9~12位ADC可选择,至高分辨率0.0625℃♦接口形式:单总线♦待机电流:1μA♦每个器件具有64位序列号♦简单的多点分布式测温应用♦集成感温单元和EEPROM存储,仅需DQ外部上拉电阻即可正常工作♦可通过数据总线供电♦选择12位分辨率时温度转换耗时小于750ms♦具有用户自定义的非易失性温度报警设置♦具有TO-92和MSOP8两种封装形式HK1001多兼容串口数字温度传感器HK1001内部集成了带隙温度探测器和13位模数转换器(ADC),可以检测温度并将温度值转换为数字形式输出,温度分辨率为0。
如果您想咨询传感器更多信息,请致电老师:15621891029;珍惜与每个对传感器有需求的企业、个人 能有进一步的交流机会,欢迎各大企业、个人光临公司本部,山东华科详细地址:山东省济南市高新区飞跃大道2016号创新工场F7-2-201-203。
HK1123可以使用处理器片上提供的二极管连接的PNP晶体管,远端测量微处理器的温度;也可以使用低成本的分立NPN/PNP器件,如2N3904/2N3906!采用新型测量技术消除了晶体管基极-射极电压的一定值,因此不需要校准。第二个测量通道用于测量本地温度,通过片上温度传感器监测该器件及其环境的温度!HK1123通过两线串行接口进行通信,符合SMBus标准。器件的过低/过高温度限制可以通过串行接口进行编程!
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目前公司研发的产品有传感器芯片系列以及面向智慧交通领域的环境监测类传感器设备!未来将研发更多产品,扩展更多应用,为客户提供更多选择.山东华科致力于打造中国(济南)智能传感谷,推动传感器芯片产业链式集群发展,公司主导的高精度数字智能传感器项目被列为2020年山东省重大项目!“这件事对济南、对山东、对国家都是非常重要的一件事!华科在做,但仅靠我们一家还不行。”葛剑楠说,山东华科规划建设的产业园将面向各类传感器半导体产业链企业开放,努力打造北方地区传感器示范生态产业区!
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03125℃!HK1001提供一组串行接口,该接口与SPI,QSPI、MICROWIRE协议以及DSP兼容,可与市场上的多种微控制器通信!微控制器通过串口控制,可使HK1001处于待机或正常工作模式.由于具有工作电压范围宽、工作电流低及多兼容性接口等特点,HK1001非常适合用于个人电脑、办公设备、汽车及家电设备等各种产品领域。产品特点:♦工作电压范围:2。7V~5.25V♦测温范围:-55℃~+150℃♦测温精度:♦0℃~70℃范围内典型测温精度±0.
HK1020单总线数字温度传感器HK18B20是一款可提供9~12位温度测量分辨率、用户可配置高低温报警门限的数字温度传感器。通过单总线接口与微控制器进行通讯。HK18B20可以通过外部供电和寄生供电两种模式工作!可同时使用一个微控制器控制多个来实现大空间区域的温度检测!由于工作电压范围宽、功耗低及单总线接口等特点,HK18B20非常适合用于各类温度控制系统中!产品特点:♦工作电压范围:2.7V~5!
5℃♦-40℃~125℃范围内至大测温精度±3℃♦测温分辨率:13位ADC,分辨率0.03125℃♦接口形式:兼容SPI和DSP串行接口♦待机电流:1μA♦在VDD=3!3V时功耗0!631mW♦具有SOT-23和MSOP8两种封装形式山东华科半导体研究院有限公司总部位于济南市高新区,是一家依托中科院半导体研究所和山东高速集团的人才、技术、资源等优势成立的高科技创新型企业,现已建成芯片级封测无尘车间、北京和济南两个研发中心,智慧传感和信息融合技术联合实验室,拥有多项发明专利,主要从事智慧传感与信息处理芯片的设计、标定、封测,为客户提供智慧传感系统解决方案!
I²C串行接口提供3个可选的逻辑地址管脚,支持同一总线上同时连接8个设备!HK1075同时还包含过热检测输出管脚(OS),当温度超过编程限制的温度值时,该输出有效!OS输出有2种可选的工作模式:比较器模式和中断模式!HK1075温度寄存器存放着一个11位带符号数据,具有0!125℃的温度分辨率!HK1075中I²C总线部分与ADC转换部分完全独立,访问器件不影响转换过程,当HK1075不断被访问时,即使访问间隔小于一个转换周期,也不影响内部检测及数据更新。
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这个电势差也被叫做霍尔电势差) 制作的一种磁场传感器 霍尔效应是磁。。。 尔传感器 霍尔传感器是根据霍尔效应 (霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是美国物理学家霍尔(A。H。Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。
当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差,这一现象便是霍尔效应。这个电势差也被叫做霍尔电势差) 制作的一种磁场传感器
霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A。H。Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。
后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。流体中的霍尔效应是研究“磁流体发电”的理论基础。
1)电流传感器必须根据被测电流的额定有效值适当选用不同的规格的产品。被测电流长时间超额,会损坏末极功放管(指磁补偿式),一般情况下,2倍的过载电流持续时间不得超过1分钟。(2)电压传感器必须按产品说明在原边串入一个限流电阻R1,以使原边得到额定电流,在一般情况下,2倍的过压持续时间不得超过1分钟。
(3)电流电压传感器的良好精度是在原边额定值条件下得到的,所以当被测电流高于电流传感器的额定值时,应选用相应大的传感器;当被测电压高于电压传感器的额定值时,应重新调整限流电阻。
当被测电流低于额定值1/2以下时,为了得到良好精度,可以使用多绕圈数的办法。
(4)绝缘耐压为3KV的传感器可以长期正常工作在1KV及以下交流系统和1。5KV及以下直流系统中,6KV的传感器可以长期正常工作在2KV及以下交流系统和2。
5KV及以下直流系统中,注意不要超压使用。
(5)在要求得到良好动态特性的装置上使用时,好用单根铜铝母排并与孔径吻合,以大代小或多绕圈数,均会影响动态特性。
(6)在大电流直流系统中使用时,因某种原因造成工作电源开路或故障,则铁心产生较大剩磁,是值得注意的。
剩磁影响精度。退磁的方法是不加工作电源,在原边通一交流并逐渐减小其值。
(7)传感器抗外磁场能力为:距离传感器5~10cm一个超过传感器原边电流值2倍的电流,所产生的磁场干扰可以抵抗。三相大电流布线时,相间距离应大于5~10cm。(8)为了使传感器工作在良好测量状态,应使用图1-10介绍的简易典型稳压电源。
(9)传感器的磁饱和点和电路饱和点,使其有很强的过载能力,但过载能力是有时间限制的,试验过载能力时,2倍以上的过载电流不得超过1分钟。(10)原边电流母线温度不得超过85℃,这是ABS工程塑料的特性决定的,用户有特殊要求,可选高温塑料做外壳。 全部。
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