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我司的YV257208基于InGaP/GaAsHBT工艺制程,芯片内部集成了负阻振荡器、Buffer放大器、恒流源偏置电路、有源温补电路、滤波器以及FSK调制器;工作电压VCC范围自8V至2V,且在不同的电源电压下均有输出功率稳定、隔离度高的特点,并具备良好的相位噪声和谐波抑制.该芯片采用了符合工业标准的DFN2X2-6L封装!我司VCO的YSGM系列是一款高集成度、标准封装尺寸的VCO,采用高截止频率的射频晶体管作为振荡管,输出功率高、隔离度好!
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5dB供电电压(VCC):5V调谐电压(VT):0~9V工作电流:25mA二次谐波抑制:≤-25dBc三次谐波抑制:≤-25dBc极少外围元器件射频输出阻抗50Ω7mm×9mm×2mm通用封装尺寸YSGM505506标称调谐频段:5150-5350MHz平均输出功率:≥5dBm带内平坦度(BW≤200MHz):±0。5dB供电电压(VCC):5V调谐电压(VT):0~9V工作电流:25mA二次谐波抑制:≤-20dBc三次谐波抑制:≤-25dBc极少外围元器件射频输出阻抗50Ω7mm×9mm×2mm通用封装尺寸YSGM556006标称调谐频段:5700-5900MHz平均输出功率:≥5dBm带内平坦度(BW≤200MHz):±0!
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随着通信频点的提高,基于GaAs工艺可用于射频微波通信的单片微波集成电路(MMIC)VCO,目前国际上只有ADI等少数公司设计生产!VCO芯片具有体积小、相噪性能优、抗冲击、耐振动等特点,并增加了微波传感器功能,使得产品非常适用于要求苛刻的高QAM微波点到点链路、通信测试设备、军用电子系统、VSAT、毫米波传感器和雷达阵列!目前我司有YV257208!我司VCO的YSGM系列是一款高集成度、标准封装尺寸的VCO,采用高截止频率的射频晶体管作为振荡管,输出功率高、隔离度好!
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此款VCO使用高稳定度振荡电路结构、精度变容二极管及高输出功率射频三极管,确保起振波形稳定及输出功率较高.系统采用5V标准电压供电,调谐电压高可达9V,从而可实现宽带输出。YSGM系列还集成整流滤波单元及射频输出匹配单元,仅需极少外围元器件且输出功率平坦度好,射频输出端可直接连接50Ω射频线,使用方便!器件封装采用7mm×9mm×2mm通用封装尺寸,可直接替换市场同类型产品!可用于通信干扰机对应频段干扰信号的产生!
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此款VCO使用高稳定度振荡电路结构、精度变容二极管及高输出功率射频三极管,确保起振波形稳定及输出功率较高.系统采用5V标准电压供电,调谐电压高可达9V,从而可实现宽带输出。YSGM系列还集成整流滤波单元及射频输出匹配单元,仅需极少外围元器件且输出功率平坦度好,射频输出端可直接连接50Ω射频线,使用方便.器件封装采用7mm×9mm×2mm通用封装尺寸,可直接替换市场同类型产品.可用于通信干扰机对应频段干扰信号的产生。
5dB供电电压(VCC):5V调谐电压(VT):0~9V工作电流:25mA二次谐波抑制:≤-20dBc三次谐波抑制:≤-25dBc极少外围元器件射频输出阻抗50Ω7mm×9mm×2mm通用封装尺寸MMICVCO主要性能指标:YV257208-电源电压VCC(V):8~2-工作电流(mA):12~36-振荡频率(MHz):2500~7200-输出功率(dBm):8-PhaseNoise(dBc)@10kHz:-88~-75-@100kHz:-115~-105-Harmonics2nd(dBc):≥24-温漂:0。
En/TCpin’senabledevicewithvoltagehigherthan5V.TheYV257208isinternallymatchedto50Ω。TheYV257208ispackagedinanindustrystandardleadlessDFN2x2surfacemountpackage。VCO模组主要性能指标:YSGM060808标称调谐频段:700-800MHz平均输出功率:≥7dBm带内平坦度(BW≤100MHz):±0!
1、11V电压源单独作用时,Vcc端的电源短路接地,所以11V电压源外部的电阻为:
R=10 (5 5)∥5=10 10/3=40/3(kΩ),干路电流为:I=11/(40/3)=33/40(mA)。
所以:Vco=I×(5 5)∥5=(33/40)×10/3=11/4=2.75(V)。
2、12V电压源单独作用,V01端子接地短路。
R=5 10∥(5 5)=10(kΩ)。I=12/R=12/10=1.2(mA)。
V"co=I×10∥(5 5)=1.2×5=6(V)。
3、叠加:Vco=Vco V"co=2.75 6=8.75(V)。
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