利用离子注入掺杂技术将碳原子注入单晶硅内，便可获得的立方体结构的SiC!随着掺杂浓度的差异得到的晶体结构不同，可表示为β-SiC.β表示不同形态的晶体结构.用离子注入法得到的SiC材料，自身的物理、化学及电学特性优异，表现出高强度、大刚度、内部残余应力很低、化学惰性极强、较宽的禁带宽度（近乎硅的1-2倍）及较高的压阻系数的特性；因此，SiC材料能在高温下耐腐蚀、抗辐射，并具有稳定的电学性质!贺德克HYDAC压力传感器非常适合在高温、恶劣环境下工作的微机电选择使用!

　　贺德克HYDAC压力传感器硅材料的制造工艺与集成电路工艺有很好的兼容性，便于微型化、集成化及批量生产.硅可以用许多材料覆盖，如氮化硅，因而能获得优异的防腐介质的保护!具有较好的耐磨性。贺德克HYDAC压力继电器是液压系统中当流体压力达到预定值时，使电接点动作的元件.是将压力转换成电信号的液压元器件，客户根据自身的压力设计需要，通过调节压力继电器，实现在某一设定的压力时，输出一个电信号的功能。压力继电器就是将压力信号(如:油压/水压等)转换为电信号的装置。

　　因此，压力传感器在测量管道气体压力时，为了防止其中的液体进入采样导压管，取样点在管道中心水平面上方45°的位置；而在测量管道液体压力时，同样为了防止其中的气体进入采样导压管，贺德克HYDAC压力传感器取样点在管道中心水平面下方45°的位置.尽管如此也不可避免在流体中混有异相的流体进入采样导压管，对此在压力传感器导压管的安装及配置上有不同的要求。安装在导压管管路上的集水灌或集气灌都配有进口阀和排放阀，平时检测时，进口阀打开，排放阀关闭，在需要排放时，先关闭进口阀，再打开排放阀.

　　贺德克HYDAC压力传感器可调的电阻率特性、可调的温度系数、较高的应变灵敏系数及能达到准确调整阻值的特点!所以在研制微传感器和微执行器时，利用多晶硅膜这些电学特性，有时比只用单晶硅更有价值！例如，利用机械性能优异的单晶硅制作感压膜片，在其上覆盖一层介质膜SiO2，再在SiO2上淀积一层多晶硅压阻膜!这种混合结构的微型压力传感器，贺德克HYDAC压力传感器发挥了单晶硅和多晶硅材料各自的优势，其工作高温至少可达200℃，甚至300℃；低温为-60℃!

天津进口贺德克压力传感器价格

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　　贺德克HYDAC压力传感器具有较高的强度/密度比和较高的刚度/密度比!单晶硅具有很好的热导性，是不锈钢的5倍，而热膨胀系数则不到不锈钢的1/7，能很好地和低膨胀Invar合金连接，并避免热应力产生！单晶硅为立方晶体，是各向异性材料！许多机械特性和电子特性取决于晶向，如弹性模量和压阻效应等.单晶硅的电阻应变灵敏系数高。在同样的输入下，可以得到比金属应变计更高的信号输出，一般为金属的10-100倍，能在10^-6级甚至10^-8级上敏感输入信号!

　　当液压缸活塞杆抵住工件开始加压时，压力继电器在压力油作用下发出动作，触动微动开关，将常闭触点断开，使液压泵停转。贺德克HYDAC压力继电器在加工过程中减慢液压缸的速度，同时减少动力消耗!贺德克HYDAC压力传感器水平安装，采样导压管接压力传感器检测膜盒的上部，检测膜盒的下部有其自己的排放螺栓!当有液体进入导压管后，部分会汇集在集水灌中，少量进入压力传感器检测膜盒的可有压力传感器的排放螺栓排除!在测量流体压力时，是取主要流体的压力作为测量对象.

　　这种排放方法总会有一点异相流体残留在集水灌或集气灌中，但不会影响压力传感器检测精度！流体是包括气体流体和液体流体两种，气体流体的密度压比液体流体的密度低。贺德克HYDAC压力传感器所以在管道流体中，气体流体总是在液体流体的上方。这是汽液两相流体的基本特点.贺德克HYDAC压力传感器的弹性元件、外壳、膜片以及上压头、下压垫的设计，要保证受载后在结构上不产生性能波动，或性能波动很小，这就要在设计的时候，尽量做到应变区受力单一了，应力均匀*，贴片部位可以是平面，因此在结构上，就要保证一定抗偏心载荷的能力，安装远离应变区，测量时应避免载荷支承点的位移!