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产品名：MOS管场效应管
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场效应管的特点有哪些呢？

场效应管在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管

场效应管的主要参数是怎样的？

场效应管极限参数①大漏极电流是指管子正常工作时漏极电流允许的上限值，②大耗散功率是指在管子中的功率，受到管子*高工作温度的限制，③大漏源电压是指发生在雪崩击穿、漏极电流开始急剧上升时的电压，④大栅源电压是指栅源间反向电流开始急剧增加时的电压值

IGBT和MOS焊机的优区别？

IGBT管可以看作由MOSFET和PNP晶体管组成，一般用在高频电源里，是通过MOSFET的G点上加一个正向电压时，MOSFET导通，给PNP晶体管提供一个基级电流，使IGBT导通。

MOS场效应管分类有几种？

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。

北京时间2012年7月25日凌晨，《日经新闻》头条刊文《富士向美国公司出售1200项OLED专利》，现全文摘要如下：富士公司（FujifilmCorp.）周二表示，该公司已经向美国照明设备生产商UniversalDisplayCorp.出售了超过1200项与有机发光二极管（OLED）相关的专利，其中包括部分仍在等待批准的专利。FujifilmCorp.是富士胶片公司（FujifilmHoldingsCorp.）的一个子公司。这笔专利出售交易的价值为1.05亿美元（约合82亿日元）。UDC总部位于美国新泽西州，该公司已经拥有了一定数量的基本OLED技术专利。富士表示，出售这些专利将给予该公司研发相关材料的资金。出售专利是富士公司与UDC建立合作关系的第一步。富士希望能与UDC在研发和其它事宜上展开合作。

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