第二步：背胶.将扩好晶的扩晶环放在已刮好银浆层的背胶机面上，背上银浆.点银浆!适用于散装LED芯片!采用点胶机将适量的银浆点在PCB印刷线路板上！第三步：将备好银浆的扩晶环放入刺晶架中，由操作员在显微镜下将LED晶片用刺晶笔刺在PCB印刷线路板上.第四步：将刺好晶的PCB印刷线路板放入热循环烘箱中恒温静置一段时间，待银浆固化后取出(不可久置，不然LED芯片镀层会烤黄，即氧化，给邦定造成困难)!如果有LED芯片邦定，则需要以上几个步骤；如果只有IC芯片邦定则取消以上步骤！

　　C4工艺尽管实现起来比较昂贵(包括许可证费用与设备的费用等)，但它还是为封装技术提供了许多性能与成本优势!与引线键合工艺不同的是，倒装芯片可以批量完成，因此还是比较划算由于新型封装技术和工艺不断以惊人的速度涌现，因此完成具有数千个的芯片设计目前已不存在大的技术障碍小封装技术工程师可以运用新型模拟软件轻易地完成各种电、热、机械与数学模拟！此外，以世界公司专为内部使用而设计的工具目前已得到广泛应用.为此设计人员完全可以利用这些新工具和新工艺大限度地提高设计性，大限度地缩短面市的时间无论人们对此抱何种态度，倒装芯片已经开始了一场工艺和封装技术，而且由于新材料和新工具的不断涌现使倒装芯片技术经过这么多年的发展以后仍能处于不断的变革之中!

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　　4mm(包括引线长度)、20!6×20.6±0!4mm(包括引线长度)、45×45±0！5mm(不计引线长度)、14×14±0！15mm（不计引线长度）等。倒装芯片技术的发展30多年前，“倒装芯片”问世。当时为其冠名为“C4”，即“可控熔塌芯片互连”技术!该技术首先采用铜，然后在芯片与基板之间制作高铅焊球。铜或高铅焊球与基板之间的连接通过易熔焊料来实现！此后不久出现了适用于汽车市场的“封帽上的柔性材料(FOC)”；还有人采用Sn封帽，即蒸发扩展易熔面或E3工艺对C4工艺做了进一步的改进！

　　封装步骤板上芯片（ChipOnBoard,COB)工艺过程首先是在基底表面用导热环氧树脂(一般用掺银颗粒的环氧树脂)覆盖硅片安放点，然后将硅片直接安放在基底表面，热处理至硅片牢固地固定在基底为止，随后再用丝焊的方法在硅片和基底之间直接建立电气连接裸芯片技术主要有两种形式：一种是COB技术，另一种是倒装片技术（FlipChip）!板上芯片封装（COB），半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性!

　　第五步：粘芯片.用点胶机在PCB印刷线路板的IC位置上适量的红胶(或黑胶)，再用防静电设备(真空吸笔或子)将IC裸片正确放在红胶或黑胶上。第六步：烘干！将粘好裸片放入热循环烘箱中放在大平面加热板上恒温静置一段时间，也可以自然固化(时间较长)！第七步：邦定(打线)！采用铝丝焊线机将晶片(LED晶粒或IC芯片)与PCB板上对应的焊盘铝丝进行桥接，即COB的内引线焊接!第八步：前测。使用检测工具(按不同用途的COB有不同的设备，简单的就是高精密度稳压电源)检测COB板，将不合格的板子重新返修!

　　虽然COB是简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术COB主要的焊接方法热压焊利用加热和加压力使金属丝与焊区压焊在一起。其原理是通过加热和加压力，使焊区（如AI）发生塑性形变同时破坏压焊界面上的氧化层，从而使原子间产生吸引力达到“键合”的目的，此外，两金属界面不平整加热加压时可使上下的金属相互镶嵌。此技术一般用为玻璃板上芯片COG超声焊超声焊是利用超声波发生器产生的能量，通过换能器在超高频的磁场感应下，迅速伸缩产生弹性振动，使劈刀相应振动，同时在劈刀上施加一定的压力，于是劈刀在这两种力的共同作用下，带动AI丝在被焊区的金属化层如（AI膜）表面迅速摩擦，使AI丝和AI膜表面产生塑性变形，这种形变也破坏了AI层界面的氧化层，使两个纯净的金属表面紧密接触达到原子间的结合，从而形成焊接！

　　25mm(多见于单列附散热片或单列V型)、27±0！25mm(多见于双列扁平封装)、1±0.15mm(多见于双列或四列扁平封装)、0!8±0.05～0！15mm(多见于四列扁平封装)、0。65±0。03mm(多见于四列扁平封装)！引脚宽度双列直插式封转一般有4～62mm、10!16mm、17mm、124mm等数种.双列扁平封装（包括引线长度）一般有6～5±mm、6mm、10。5～10!65mm等.四列扁平封装（40引脚以上的长×宽）一般有10×10mm(不计引线长度)、16×16±0！