为了满足组装工艺和芯片设计不断变化的需求，基片技术领域正在开发新的基板技术，模拟和设计软件也不断更新升级！因此，如何平衡用新技术设计产品的愿望与以何种适当款式投放产品之间的矛盾就成为一项必须面对的重大挑战！由于受互连网带宽不断变化以及下面列举的一些其它因素的影响，许多设计人员和公司不得不转向倒装芯片技术其它因素包括：①减小信号电感——40Gbps(与基板的设计有关)；②降低电源/接地电感；③提高信号的完整性；④佳的热、电性能和高的可靠性；⑤减少封装的引脚数量；⑥超出引线键合能力，外围或整个面阵设计的高数量；⑦当节距接近200μm设计时允许；S片缩小(受焊点限制的芯片)；⑧允许BOAC设计，即在有源电路上进行设计。

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　　C4工艺尽管实现起来比较昂贵(包括许可证费用与设备的费用等)，但它还是为封装技术提供了许多性能与成本优势!与引线键合工艺不同的是，倒装芯片可以批量完成，因此还是比较划算由于新型封装技术和工艺不断以惊人的速度涌现，因此完成具有数千个的芯片设计目前已不存在大的技术障碍小封装技术工程师可以运用新型模拟软件轻易地完成各种电、热、机械与数学模拟!此外，以世界公司专为内部使用而设计的工具目前已得到广泛应用.为此设计人员完全可以利用这些新工具和新工艺大限度地提高设计性，大限度地缩短面市的时间无论人们对此抱何种态度，倒装芯片已经开始了一场工艺和封装技术，而且由于新材料和新工具的不断涌现使倒装芯片技术经过这么多年的发展以后仍能处于不断的变革之中！

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　　分类方法封装材料塑料、陶瓷、玻璃、金属等，封装形式普通双列直插式，普通单列直插式，小型双列扁平，小型四列扁平，圆形金属，体积较大的厚膜电路等！封装体积大为厚膜电路，其次分别为双列直插式，单列直插式，金属封装、双列扁平、四列扁平为小.引脚间距普通标准型塑料封装，双列、单列直插式一般多为54±0!25mm，其次有2mm（多见于单列直插式）、778±0。25mm（多见于缩型双列直插式）、5±0。25mm，或27±0！

　　虽然COB是简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术COB主要的焊接方法热压焊利用加热和加压力使金属丝与焊区压焊在一起！其原理是通过加热和加压力，使焊区（如AI）发生塑性形变同时破坏压焊界面上的氧化层，从而使原子间产生吸引力达到“键合”的目的，此外，两金属界面不平整加热加压时可使上下的金属相互镶嵌。此技术一般用为玻璃板上芯片COG超声焊超声焊是利用超声波发生器产生的能量，通过换能器在超高频的磁场感应下，迅速伸缩产生弹性振动，使劈刀相应振动，同时在劈刀上施加一定的压力，于是劈刀在这两种力的共同作用下，带动AI丝在被焊区的金属化层如（AI膜）表面迅速摩擦，使AI丝和AI膜表面产生塑性变形，这种形变也破坏了AI层界面的氧化层，使两个纯净的金属表面紧密接触达到原子间的结合，从而形成焊接.

　　25mm(多见于单列附散热片或单列V型)、27±0。25mm(多见于双列扁平封装)、1±0.15mm(多见于双列或四列扁平封装)、0。8±0。05～0.15mm(多见于四列扁平封装)、0.65±0.03mm(多见于四列扁平封装)！引脚宽度双列直插式封转一般有4～62mm、10!16mm、17mm、124mm等数种！双列扁平封装（包括引线长度）一般有6～5±mm、6mm、10!5～10!65mm等.四列扁平封装（40引脚以上的长×宽）一般有10×10mm(不计引线长度)、16×16±0.

　　第二步：背胶.将扩好晶的扩晶环放在已刮好银浆层的背胶机面上，背上银浆!点银浆.适用于散装LED芯片!采用点胶机将适量的银浆点在PCB印刷线路板上。第三步：将备好银浆的扩晶环放入刺晶架中，由操作员在显微镜下将LED晶片用刺晶笔刺在PCB印刷线路板上！第四步：将刺好晶的PCB印刷线路板放入热循环烘箱中恒温静置一段时间，待银浆固化后取出(不可久置，不然LED芯片镀层会烤黄，即氧化，给邦定造成困难)！如果有LED芯片邦定，则需要以上几个步骤；如果只有IC芯片邦定则取消以上步骤!

　　4mm(包括引线长度)、20.6×20。6±0！4mm(包括引线长度)、45×45±0。5mm(不计引线长度)、14×14±0！15mm（不计引线长度）等。倒装芯片技术的发展30多年前，“倒装芯片”问世！当时为其冠名为“C4”，即“可控熔塌芯片互连”技术!该技术首先采用铜，然后在芯片与基板之间制作高铅焊球!铜或高铅焊球与基板之间的连接通过易熔焊料来实现。此后不久出现了适用于汽车市场的“封帽上的柔性材料(FOC)”；还有人采用Sn封帽，即蒸发扩展易熔面或E3工艺对C4工艺做了进一步的改进.