倍加福传感器@P+F加速度传感器NBB10-30GM50-E2NBB10-30GM50-E2-V1NBB8-18GM50-E2NBB15-30GM50-E2NBN4-12GM50-E0NBN4-12GM50-E2NBN15-30GM50-E0NBN15-30GM50-E2NBB15-30GM50-WONBB15-30GM50-WSNBB2-12GM50-E2NBB4-12GM50-E2NBB5-18GM50-E0NBB5-18GM50-E2NBB5-18GM50-E2-V1NBB5-18GM40-Z0NBB20-L2-E2-V1NBB15-U1-E2NBB20-U1-E2NBN40-L2-E2-V1NBN5-F7-E0NBN5-F7-E2NBN8-18GM50-E0NBN8-18GM50-E2NBN8-18GM40-Z0NCB2-12GM35-NONCB50-FP-A2-P1NCB50-FP-E2-P1NCN50-FP-W-P1CJ10-30GK-ENJ1.5-8GM-NNJ5-18GM-NNJ8-18GM-NNJ20+U1+WNJ5-18GM50-E2-V1SJ30-A2ML5-8-400/32/115OBT200-18GM60-E5集成传感器薄膜传感器 厚膜传感器陶瓷传感器 　　集成传感器是用标准的生产硅基半导体集成电路的工艺技术制造的。通常还将用于初步处理被测信号的部分电路也集成在同一芯片上。 　　薄膜传感器则是通过沉积在介质衬底（基板）上的，相应敏感材料的薄膜形成的。使用混合工艺时，同样可将部分电路制造在此基板上。 　　厚膜传感器是利用相应材料的浆料，涂覆在陶瓷基片上制成的，基片通常是Al2O3制成的，然后进行热处理，使厚膜成形。 　　陶瓷传感器采用标准的陶瓷工艺或其某种变种工艺（溶胶-凝胶等）生产。 　　完成适当的预备性操作之后，已成形的元件在高温中进行烧结。厚膜和陶瓷传感器这二种工艺之间有许多共同特性，在某些方面，可以认为厚膜工艺是陶瓷工艺的一种变型。 　　每种工艺技术都有自己的优点和不足。由于研究、开发和生产所需的资本投入较低，以及传感器参数的高稳定性等原因，采用陶瓷和厚膜传感器比较合理。倍加福传感器@P+F加速度传感器