德国P+F光电传感器全系列供应联系人：陈烨，电话：021-36314366，传真：021-36313685，QQ：1044494671，邮箱：1241420522@qq.com 手机：13321950316，地址：上海市黄浦区北京东路668号上海科技京城东楼20C2它首先把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将光信号转换成电信号。光电传感器一般由光源、光学通路和光电元件三部分组成。由光通量对光电元件的作用原理不同所制成的光学测控系统是多种多样的按光电元件(光学测控系统)输出量性质可分二类即模拟式光电传感器和脉冲(开关)式光电传感器.模拟式光电传感器是将被测量转换光电传感器成连续变化的光电流它与被测量间呈单值关系.模拟式光电传感器按被测量(检测目标物体)方法可分为透射(吸收)式漫反射式遮光式(光束阻档)三大类.所谓透射式是指被测物体放在光路中恒光源发出的光能量穿过被测物部份被吸收后透射光投射到光电元件上;所谓漫反射式是指恒光源发出的光投射到被测物上再从被测物体表面反射后投射到光电元件上;所谓遮光式是指当光源发出的光通量经被测物光遮其中一部份使投射刭光电元件上的光通量改变改变的程度与被测物体在光路位置有关. 光敏二极管是常见的光传感器。光敏二极管的外型与一般二极管一样，只是它的管壳上开有一个嵌着玻璃的窗口，以便于光线射入，为增加受光面积，PN结的面积做得较大，光敏二极管工作在反向偏置的工作状态下，并与负载电阻相串联，当无光照时，它与普通二极管一样，反向电流很小称为光敏二极管的暗电流；当有光照时，载流子被激发，产生电子-空穴，称为光电光电传感器载流子。在外电场的作用下，光电载流子参于导电，形成比暗电流大得多的反向电流，该反向电流称为光电流。光电流的大小与光照强度成正比，于是在负载电阻上就能得到随光照强度变化而变化的电信号。代理、经销产品：倍加福(P+F):●接近传感器■电感式传感器■电感式特殊型传感器■位置传感器，阀位回讯传感器■电容式传感器■磁式传感器■传感器安装附件●光电传感器■圆柱型光电传感器　　　　■色标扫描仪■矩形光电传感器　　　　　■安全光幕安全光栅和控■光纤型光电传感器　　　　　制单元■防爆型光电传感器　　　　■光电数据传送系统■光电传感器测试仪　　　　■门控传感器■光栅　　　　　　　　　　■激光测距和扫描仪■颜色传感器　　　　　　　■特殊光电传感器■光电传感器附件　　　　　●超声波传感器■开关量输出■模拟量输出■超声波传感器附件●旋转编码器■增量型编码器■值编码器（并行、串行）■防爆型编码器■恒力开度仪■旋转编码器附件●识别系统■条形码识别系统■电感式识别系统■微波识别系统●总线系统■AS-I主控机/网关　　■AS-I总线附件■AS-I电源　　　■总线耦合器(Profibus，Inter■AS-I I/O模块　　Bus，Devicenet，CAN，Ethernet等)■IP20端子式输入/输出模块■IP67现场型输入/输出模块■AS-I总线传感器■IP67现场总线端子盒■可拼接式IP67现场模块●物位控制器■浮子式液位传感器■音叉式液位传感器■导电式液位传感器■磁性浸入式液位传感器■微波导向物位传感器■超声波式物位传感器■静压式液位传感器■电容式液位传感器●其他产品■显示仪表　　　　■开关转换器，隔离放大器■计数器　　　　　■二次仪表■转速表NBN8-12GM50-E0NBN8-12GM50-E0-V1NBN8-12GM50-E2NBN8-12GM50-E2-V1NBN8-18GK50-E0NBN8-18GK50-E2NBN8-18GM40-Z0NBN8-18GM40-Z0-V1NBN8-18GM50-E0NBN8-18GM50-E0-V1· *：P+F/倍加福P+F光电传感器全系列供应P+F NBN8-18GK50-E2P+F NBN8-18GM40-Z0P+F NBN8-18GM40-Z0-V1P+F NBN8-18GM50-E0P+F NBN8-18GM50-E0-V1P+F NBN8-18GM50-E2P+F NBN8-18GM50-E2-V1P+F NBN8-18GM60-A0P+F NBN8-18GM60-A0-V1P+F NBN8-18GM60-A2P+F NBN8-18GM60-A2-V1 P+F NBN4-12GM50-E0P+F NBN4-12GM50-E0-V1P+F NBN4-12GM50-E2P+F NBN4-12GM50-E2-V1P+F NBN4-12GM60-A0P+F NBN4-12GM60-A0-V1P+F NBN4-12GM60-A2P+F NBN4-12GM60-A2-V1P+F NBN4-12GM60-WOP+F NBN4-12GM60-WSP+F NBN8-12GM50-E0P+F NBN8-12GM50-E0-V1P+F NBN8-12GM50-E2P+F NBN8-12GM50-E2-V1 P+F NBN4-12GK50-E2P+F NBN4-12GM40-E0P+F NBN4-12GM40-E0-V1P+F NBN4-12GM40-E2P+F NBN4-12GM40-E2-V1P+F NBN4-12GM40-Z0P+F NBN4-12GM40-Z0-V1P+F NBN4-12GM40-Z3-V1P+F NBN8-18GM40-Z0P+F NBN8-18GM40-Z0-V1P+F NBN8-18GM50-E0P+F NBN8-18GM50-E0-V1P+F NBN8-18GM50-E2P+F NBN8-18GM50-E2-V1P+F NBN8-18GM60-A0P+F NBN8-18GM60-A0-V1P+F NBN8-18GM60-A2NBN8-18GM60-A2-V1P+F NBN8-18GM60-WOP+F NBN8-18GM60-WSP+F NBN4-12GK50-E0P+F NBN4-12GM60-A2P+F NBN4-12GM60-A2-V1P+F NBN4-12GM60-WOP+F NBN4-12GM60-WSP+F NBN8-12GM50-E0P+F NBN8-12GM50-E0-V1P+F NBN8-12GM50-E2P+F NBN8-12GM50-E2-V1P+F NBN8-18GK50-E0P+F NBN8-18GK50-E2 P+F NBN4-12GM50-E2P+F NBN4-12GM50-E2-V1P+F NBN4-12GM60-A0P+F NBN4-12GM60-A0-V1 P+F NBN4-12GM40-E0-V1P+F NBN4-12GM40-E2P+F光电传感器全系列供应型号：NBN8-12GM50-E2]类型：其他制作工艺：其他输出信号：其他材质：其他材料物理性质：其他材料晶体结构：其他