压力变送器
TD-910扩散硅压力变送器
2018-12-26 11:20  浏览:234
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TD-910扩散硅压力变送器

工作原理

TD-910系列扩散硅压力传感器系全部采用进口芯片,经过精心的结构设计,信号处理和组装,并按照标准和企业标准,进行测试而生产出来的新一代压力传感器。基本原理是利用半导体的压阻效应和微机械加工技术,在单晶硅片的特定晶向上,用光刻、扩散等半导体工艺制做一惠斯登电桥,形成敏感膜片,当受到外力作用时产生微应变,电阻率发生变化,使桥臂电阻发生变化(一对变大一对变小)再激励电压信号输出,经过计算机温度补偿、激光调阻、信号放大等处理手段和严格的装配检测、标定等工艺,生产出具有标准输出信号的压力变送器。

特点

输出稳定灵敏度高

一般应变式传感器输出仅为10mV左右,而扩散硅传感器满量程输出为100mV左右,干扰及噪声等因素影响相对较小,放大电路成本也相应降低,分辨率大大提高。零压力附近无死区。

精度高,重复性好

扩散硅压阻式压力传感器实现了压力受感,压力传递,力-电转换在同一元件上实现,无中间转换环节,无压力滞后,无机械位移变形,保证了极小的重复性和迟滞误差,和良好的线性度,无蠕变、稳定、可靠、寿命长。

良好的温度特性

由于采用了激光调阻,计算机补偿等*技术和巧妙控制扩散浓度,实现满量程温度漂移(灵敏度温度系数)自补偿。克服了半导体晶片本身温度系数大的缺陷,使变送器的零位和满度温漂控制到了较小的范围,拓宽了使用温区。

适合于危险易爆的领域和场所应用

扩散硅压力传感器,变送器具有低电流,低电压,低功耗的特点,属于本质安全防爆型产品,并已取得了安全防爆机构颁发的防爆证书。

高可靠性与抗干扰性能

产品由于采用了不锈钢材质与特殊防护结构,和放大电路的防雷击、抗干扰、抗过压、过流等一系列保护手段,提高了可靠的密封防腐和抗恶劣工作环境的能力,完全适合一般工业现场测量和控制的需要。

技术参数

技术指标

使用对象

液体、气体或蒸汽

测量范围

表压:0~1KPa~60MPa

绝压:0~100KPa~35MPa,负压:-0.1MPa~2MPa

输出

4~20mADC

电源

12~36VDC

负载特性

4~20mADC二线制

温度范围

-40℃~+85℃

外壳防护

优于IP65

防爆类型

隔爆型ExdⅡCT6;本安型ExibⅡCT6应外配安全栅

性能指标

综合精度

精度等级:0.1%、0.2%

稳定性

优于±0.25%FS/3年

温度影响

-10℃~+60℃范围内:变化量小于±0.1%/10℃(0.1级)

变化量小于±0.15%/10℃(0.2级)

-30℃~-10℃, 60℃~+85℃:变化量小于±0.15%/10℃(0.1级)

变化量小于±0.20%/10℃(0.2级)

振动影响

在任何方向上振动频率为20-200Hz时,变化量小于±0.02% BFSL

冲击影响

任何方向100G冲击11ms后,变化量小于±0.02%BFSL

负载影响

只要输入变送器的端子电压高于12V,就无负载影响。

位置影响

安装位置不影响零点

结构指标

结构材料

外壳:不锈钢或低铜铸铝

接触介质材料与选择的传感器类型及采用的密封方式有关

全焊接结构:316L SS

“O”型圈密封结构:聚四氟乙烯或氟橡胶

过程连接

标准提供M20×1.5外螺纹

电气连接

可根据需要从任何一个出口引出,建议使用φ10工业电缆作为引线,以便密封.引出接头可选用通用电缆接头PG16或M20×1.5,不引线一端用端盖封住。

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