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单、双轴硅微加速度传感器型号XJ.1-PM-LAS图片简介XJ.1-PM-LAS单、双轴加速度传感器用于测量加速度的传感器。它采用MEMS技术芯片，具有BIMOS信号限制电路。设计考虑多用户的需求，制造采用表贴工艺技术。具有高可靠性和高封装坚固性，并具有自检测（Self-Test）功能，可实现BIT（Built-In-Test）检测。本产品可用于汽车测控、惯性导航、*行器安全系统、地震监控、倾斜、速度和位置的惯性、振动和冲击试验台加速度的测量等系统中。 2．技术条件型号PM-LASⅠ注①PM-LASⅡ轴数单双供电要求供电电压（Vdc）5±5％输入电流（mA）<3<5性能参数测量范围(g)±25注②±10注③零g偏置电压(V)+2.5±0.2+2.5±0.2注④输出灵敏度（mV／ｇ）76100非线性度(％FR)<0.2<0.2分辨力(g)10×10-35×10-3带宽(KHZmax)15噪声密度（mg/）10.5自检测（Self-Test）ST输入电压(V)+5+5输出响应(V敏感轴向)2.65～3.22.1∽2.7启动时间(ms)160工作环境使用温度(℃)-40～+85耐加速度任意轴不供电0.5ms(g)2000任意轴供电0.5ms(g)500重量体积重量(g)﹤35体积（mm3）25x22x14或28×28×15.5(指单双轴)注: ①PM-LAS加速度传感器代号PM-LAS后的Ⅰ、Ⅱ分别表示：Ⅰ—表示单轴；Ⅱ—表示双轴。②单轴加速度传感器可选用范围：±3g、±5g、±10g、±12g、±25g、±50g、±100g和 ±250g;③双轴加速度传感器可选用范围：±1.7g、±2g、±5g、±10g、±25g、±50g。④指无外界加速度时，输出电压标准值，该值在确定的环境条件下应是确定值。