国内首台大功率IGBT全参数自动测试系统

我公司科研人员经过连续技术攻关, 在原有高端半导体分立器件自动测试系统基础上, 自行研发出国内首台igbt测试仪，圆满解决了功率IGBT等新型半导体器件的全参数测试难题,填补了国内在半导体自动测试领域的空白，该项产品综合技术指标达到国际水平。

目前我公司提供的IGBT测试仪采用模块式功放结构,主极电流400A/500A/1000A/1250A可选, 2500A/5000A选项可以根据用户需要定制。

IGBT测试仪可测IGBT参数包括了ICES, BVCES, IGESF, IGESR, VGETH, VGEON, VCESAT, ICON,VF, GFS,rCE等全直流参数,所有小电流指标保证1%重复测试精度,大电流指标保证2%以内重复测试精度,达到目前国外进口同类产品水平。

绝缘栅晶体管、IGBT测试参数及精度

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电参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
ICES IGESF IGESR	0.10V- 2000V 0.10V - 20V(80V)（2）	100nA(100pA)（1） - 50mA 100nA(100pA)（1）- 3A	1nA(50pA)（1）	1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)（1）
BVCES	0.1V-1000V- 1400V - 1600V	100μA - 200mA -100mA -50mA	5mV	1%＋100mV
VGETH	0.10V- 20.0V(80V)（2）	100nA- 3A	5mV	1%+10mV
VCESAT ICON VGEON VF GFS(混合参数)	VCE: 0.10V- 5.00V - 9.99V VGE、VF: 0.10V - 9.99V	IC: 10μA-1250A - 1250A IGE、IF: 100nA - 10A	5mV	V: 1%+10mV IC,IF:1%+100nA IGE: 1%+5nA

（1）需要小电流台选件

（2）需要栅极80V选件

IGBT测试仪可针对目前封装的多单元IGBT特征,根据用户需要提供4/ 8/ 20单元扫描测试适配器,从而实现多单元封装器件的一次性全参数测试.与进口*测试系统相比,该产品可同时对各种功率的其它10-18多类半导体分立器件进行全参数测试,具有更高的使用效率。与国外同类产品相比,该产品具有更高的性能价格比和国外厂家不能做到的*售后服务。