25mm(多见于单列附散热片或单列V型)、27±0。25mm(多见于双列扁平封装)、1±0！15mm(多见于双列或四列扁平封装)、0!8±0！05～0!15mm(多见于四列扁平封装)、0。65±0!03mm(多见于四列扁平封装)！引脚宽度双列直插式封转一般有4～62mm、10.16mm、17mm、124mm等数种!双列扁平封装（包括引线长度）一般有6～5±mm、6mm、10!5～10！65mm等.四列扁平封装（40引脚以上的长×宽）一般有10×10mm(不计引线长度)、16×16±0。

　　主要焊接材料为铝线焊头，一般为楔形金丝焊球焊在引线键合中是具代表性的焊接技术，因为现在的半导体封装三极管封装都采用AU线球焊.而且它操作方便、灵活、焊点牢固（直径为25UM的AU丝的焊接强度一般为0.07～0。09N/点），又无方向性，焊接速度可高达15点/秒以上！金丝焊也叫热（压）（超）声焊主要键合材料为金（AU）线焊头为球形故为球焊COB封装流程一步：扩晶!采用扩张机将厂商提供的整张LED晶片薄膜均匀扩张，使附着在薄膜表面紧密排列的LED晶粒拉开，便于刺晶.

　　分类方法封装材料塑料、陶瓷、玻璃、金属等，封装形式普通双列直插式，普通单列直插式，小型双列扁平，小型四列扁平，圆形金属，体积较大的厚膜电路等!封装体积大为厚膜电路，其次分别为双列直插式，单列直插式，金属封装、双列扁平、四列扁平为小！引脚间距普通标准型塑料封装，双列、单列直插式一般多为54±0!25mm，其次有2mm（多见于单列直插式）、778±0。25mm（多见于缩型双列直插式）、5±0！25mm，或27±0。

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　　虽然COB是简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术COB主要的焊接方法热压焊利用加热和加压力使金属丝与焊区压焊在一起.其原理是通过加热和加压力，使焊区（如AI）发生塑性形变同时破坏压焊界面上的氧化层，从而使原子间产生吸引力达到“键合”的目的，此外，两金属界面不平整加热加压时可使上下的金属相互镶嵌.此技术一般用为玻璃板上芯片COG超声焊超声焊是利用超声波发生器产生的能量，通过换能器在超高频的磁场感应下，迅速伸缩产生弹性振动，使劈刀相应振动，同时在劈刀上施加一定的压力，于是劈刀在这两种力的共同作用下，带动AI丝在被焊区的金属化层如（AI膜）表面迅速摩擦，使AI丝和AI膜表面产生塑性变形，这种形变也破坏了AI层界面的氧化层，使两个纯净的金属表面紧密接触达到原子间的结合，从而形成焊接.

　　第二步：背胶。将扩好晶的扩晶环放在已刮好银浆层的背胶机面上，背上银浆.点银浆。适用于散装LED芯片！采用点胶机将适量的银浆点在PCB印刷线路板上。第三步：将备好银浆的扩晶环放入刺晶架中，由操作员在显微镜下将LED晶片用刺晶笔刺在PCB印刷线路板上！第四步：将刺好晶的PCB印刷线路板放入热循环烘箱中恒温静置一段时间，待银浆固化后取出(不可久置，不然LED芯片镀层会烤黄，即氧化，给邦定造成困难)！如果有LED芯片邦定，则需要以上几个步骤；如果只有IC芯片邦定则取消以上步骤.

　　因此，封装对CPU和其他LSI(LargeScalcIntegrat~on)集成电路都起着重要的作用，新一代CPU的出现常常伴随着新的封装形式的使用。芯片的封装技术已经历了好几代的变迁，从DIP，QFP，PGA，BGA，到CSP再到MCM，技术指标一代比一代，包括芯片面积与封装面积之比越来越接近于1，适用频率越来越高，耐温性能越来越好!引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便等等。